2GB的DDR3 SDRAM q-die被組織成像一個16mbit x 16/ OS X 8庫存設備。這種同步裝置實現高速雙數據速率傳輸速率高達1866mb /sec/pin（ddr3-1866）一般用途。該芯片的設計符合以下關鍵DDR3 SDRAM CAS可編程等特點，張貼，CWL，內部（自給）的校準，終結使用ODT引腳和異步復位。所有的控制和地址輸入同步與一對外部提供的差分時鐘。輸入被鎖在了差分時鐘交叉點（對照上升和CK下降）。所有的I / O是一對雙向閃光燈同步（DQS和DQS）在源同步時尚。總線用于在RAS / CAS多路復用方式中傳送行、列和庫存地址信息。DDR3器件采用單1.35v（1.28v ~ 1.45v）或1.5V（1.425v ~ 1.575v）電源和1.35v（1.28v ~ 1.45v）或1.5V（1.425v ~ VDDQ 1.575v）。的2GB DDR3 q-die裝置在96balls FBGA是可用的(x16). 如有更好的建議，請多指教。QQ:3259054252 TEL：18820170705  劉生    歡迎交流〔深圳桑尼奇科技有限公司〕。                                            

K4B2G1646Q封裝引腳/機械尺寸和尋址：

K4B2G1646Q FBGA的包裝尺寸：

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