主控主要供電，峰值電流分別可達(dá)4.4A/3.6A（CPU@1.6GHz、GPU@400MHz），所以請(qǐng)不要?jiǎng)h減參考設(shè)計(jì)中的電容，大電容放置在主控芯片背面（或就近）以保證電源紋波在100mV以內(nèi)，避免在大負(fù)載情況下引起電源紋波偏大，（VDD_CPU為154uF電容，VDD_GPU為66uF電容，）如圖:（更多詳情請(qǐng)咨詢張經(jīng)理：18576760724，QQ：2860224697）

電源的設(shè)計(jì)至關(guān)重要，直接影響產(chǎn)品的性能及穩(wěn)定性，請(qǐng)嚴(yán)格按RK的LAYOUT要求進(jìn)行設(shè)計(jì)。 從PMIC的電源輸出到主控相應(yīng)電源引腳之間保證有大面積的電源鋪銅，可提高過(guò)電流能力，并降低線路阻抗，如圖：

電源換層的連接處，需有較多的過(guò)孔，以提高過(guò)電流能力，并降低線路阻抗，如圖:

CPU_VDD_COM與GPU_VDD_COM反饋補(bǔ)償設(shè)計(jì)，可彌補(bǔ)線路的電壓損耗及提高電源動(dòng)態(tài)調(diào)整及時(shí)性。

SYR827、SYR828 PCB Layout guide

SYR827、SYR828芯片引腳定義如圖:（更多詳情請(qǐng)咨詢張經(jīng)理：18576760724，QQ：2860224697）

請(qǐng)把輸入電容Cin、輸出電容Cout放置于Vin pin、Vout pin與GND之間，盡量減小Vin、Vout與 GND之間的環(huán)路面積，這樣可以減小電源紋波幅度，大大提高芯片的可靠性，如圖:

貼片時(shí)IC內(nèi)部不能灌銅，否則在SMT時(shí)IC容易移位，只能走線連接。芯片就近放置地過(guò)孔（數(shù)量保證10個(gè)以上），如上圖，SYR82X DCDC電感參考值為：感量0.22uH，飽和電流大于5A，直流電阻要求小于20mR；為了提高電源輸出質(zhì)量，建議使用取值范圍在0.22uH~0.24uH（實(shí)際的測(cè)試，使用0.22uH電感，電源輸出紋波比相比0.33uH電感小20mV左右）之間。 SYR827與SYR828分別對(duì)應(yīng)VDD_CPU和VDD_GPU電源，兩顆芯片I2C地址不同，外觀一致但絲印略有不同。貼片時(shí)工廠極易貼錯(cuò)位置造成開機(jī)死機(jī)，且返工困難（工廠50%左右的成功率）。客戶需重點(diǎn)注意此物料位置，放置貼錯(cuò)。

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